0910云达不莱梅球服:半導體分立器件I-V特性測試方案

發布時間:2019年09月25日 15:09    發布者:安泰測試設備
關鍵詞: 半導體 , 集成電路 , 新材料 , 分立器件IV特性

云达不莱梅威悉球场 www.fgpgdy.com.cn 半導體分立器件是組成集成電路的基礎,包含大量的 雙端口或三端口器件,如二極管,晶體管,場效應管等。 直流I-V測試則是表征微電子器件、工藝及材料特性的 基石。通常使用I-V特性分析,或I-V曲線,來決定器 件的基本參數。微電子器件種類繁多,引腳數量和待 測參數各不相同,除此以外,新材料和新器件對測試 設備提出了更高的要求,要求測試設備具備更高的低 電流測試能力,且能夠支持各種功率范圍的器件。

圖片1.png

分立器件I-V特性測試的主要目的是通過實驗,幫助工 程師提取半導體器件的基本I-V特性參數,并在整個工 藝流程結束后評估器件的優劣。

隨著器件幾何尺寸的減小,半導體器件特性測試對測 試系統的要求越來越高。通常這些器件的接觸電極尺 寸只有微米量級,這些對低噪聲源表,探針臺和顯微 鏡性能都提出了更高的要求。

半導體分立器件I-V特性測試方案,泰克公司與合作 伙伴使用泰克吉時利公司開發的高精度源測量單元 (SMU)為核心測試設備,配備使用簡便靈活,功能 豐富的CycleStar測試軟件,及精準穩定的探針臺,為客戶提供了可靠易用的解決方案,極大的提高了用戶 的工作效率。

圖片2.png

吉時利方案特點

  豐富的內置元器件庫,可以根據測試要求選擇所需要的待測件類型;

測試和計算過程由軟件自動執行,能夠顯示數據和曲線,節省了大量的時間;

精準穩定的探針臺,針座分辨率可高達0.7um,顯微鏡放大倍數最高可達x195倍;

最高支持同時操作兩臺吉時利源表,可以完成三端口器件測試。

測試功能:

二極管特性的測量與分析

極型晶體管BJT特性的測量與分析  

MOSFET場效應晶體管特性的測量與分析  

MOS 器件的參數提取

系統結構:

系統主要由一臺或兩臺源精密源測量單元(SMU)、 夾具或探針臺、上位機軟件構成。以三端口MOSFET 器件為例,共需要以下設備:

1、兩臺吉時利 2450 精密源測量單元

2、四根三同軸電纜

3、夾具或帶有三同軸接口的探針臺

4、三同軸T型頭

5、上位機軟件與源測量單元(SMU)的連接方式如下圖所示,可以使用LAN/USB/GPIB中的任何一個接口進行連接。

圖片3.png

系統連接示意圖

圖片4.png

典型方案配置

圖片5.png

圖片6.png

西安某高校現場演示圖

安泰測試已為西安多所院校、企業和研究所提供吉時利源表現場演示,并獲得客戶的高度認可,安泰測試將和泰克吉時利廠家一起,為客戶提供更優質的服務和全面的測試方案,為客戶解憂。

歡迎分享本文,轉載請保留出處://www.fgpgdy.com.cn/thread-569064-1-1.html     【打印本頁】
您需要登錄后才可以發表評論 登錄 | 立即注冊

廠商推薦

相關視頻

關于我們  -  服務條款  -  使用指南  -  站點地圖  -  友情鏈接  -  聯系我們
云达不莱梅威悉球场 © 版權所有   京ICP備16069177號 | 京公網安備11010502021702
回頂部